مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS توشیبا

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	54.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Samsung MHX
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	410,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1 MB Micron DDR3	2GBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	Samsung MHX
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	2GBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	54.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	540,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	40.6 گرم	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MHX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GBLPDDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	MAP1202	Samsung MHX
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
رنگ‌بندی	آبی	-
اندازه و ابعاد	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	2GBLPDDR3
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS ام اس آی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS کورسیر

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	54.4 گرم	660 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه