صفحه 3 از مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Samsung MHX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 54.4 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GBLPDDR3
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
اندازه و ابعاد 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MHX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GBLPDDR3
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC -
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MHX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GBLPDDR3
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MHX
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GBLPDDR3
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 512MBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 54.4 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MHX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2GBLPDDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر -
وزن محصول 54.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox