1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای VS ایکس پی جی
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 98 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS لکسار
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A -
نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS خودروسازی دی اس
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه آلومینیوم پلاستیک
وزن محصول 50 گرم 52 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه