مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

پی ان وای VS ای دیتا

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	پلاستیک
وزن محصول	50 گرم	60 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای VS ای دیتا

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای VS ای دیتا

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای VS ای دیتا

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	510,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای VS ای دیتا

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	31 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای VS ای دیتا

ویژگی	پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, WEEE, BSMI	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 35.5 × 60 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	50 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه