صفحه 14 از مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	180,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS توین موس

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	100 گرم	660 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,200,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	100 گرم	11 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,600,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	11.5 W
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS لکسار

ویژگی	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	DM620
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison E13T
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS بلو

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	390,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	42 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS سیگیت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box

مشاهده جزئیات مقایسه