مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 100 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND SLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 100 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 25,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت‌های جانبی - قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E19T Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 2175 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 4.8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 82,000ّIOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 115 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 100 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز (7،8،8.1،10) ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه