صفحه 2 از مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 100 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 100 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 100 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E19T
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 100 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم 100 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی - 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 500 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی - 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
وزن محصول - 100 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 500 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 100 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی - 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 100 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 100 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 4 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E19T
نرخ خواندن ترتیبی - 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 100 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Phison E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 100 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

برند نامشخص VS PNY
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 100 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E19T
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false