صفحه 13 از مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	SLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	59,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS مایکروسافت

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS PNY

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS توین موس

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS کینگ مکس

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D MLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	41 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS msi

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E19T	PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	950,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مشاهده جزئیات مقایسه