صفحه 3 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

msi VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	۲۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135396

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال 135396
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM	true	بله
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	بله
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	بله
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	رمزگذاری AES 256 بیتی
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
رنگ‌بندی	-	سیاه
وزن محصول	-	تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256bit
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS msi

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256bit
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط	-	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط	-	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه