صفحه 2 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال 135399

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) 3D NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا PHISON E16
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی - 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۲۰۵ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم -
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS msi
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256bit
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E16
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false