| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 500 MB | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung MKX | PHISON E21T |
| نرخ خواندن ترتیبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 4500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 98,000IOPS | 550,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 88,000IOPS | 950,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 512 MB LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | - |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلیوات * حالت Idle ** 2.5 میلیوات * حالت DevSlp | 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلیوات * حالت Idle |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| قابلیتهای جانبی | - | کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت دادهها |
| مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, KCC, VCCI, RCM | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 6.8 * 69.85 * 100 میلیمتر | 2.15 × 22 × 80 ميلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 45 گرم | - |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده