نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 512 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung MKX | Phison PS5012-E12 |
نرخ خواندن ترتیبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 1950 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 1550 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 98,000IOPS | 130,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 88,000IOPS | 230,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | 3.3 ولت |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 360 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle - 2.5 میلیوات در حالت DevSlp | 3.5 وات در حالت فعال |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, KCC, VCCI, RCM | - |
---|
اندازه و ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلیمتر | 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 45 گرم | 10 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟