صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN SMI SM2262EN

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix Controller

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung In-House Controller

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN DM620

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MKX

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix