مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90.000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 81,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) 400 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND Micron 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN DM928
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 336 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI CE, FCC, VCCI,RCM
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SK Hynix 3D 72-Layer NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 6850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول 45 گرم 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 400 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT SMI SM2263EN
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) 400 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND SK Hynix 3D 72-Layer NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS CE, FCC, KCC, BSMI
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 2.2 * 24 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI SM2263EN
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 400 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true