صفحه 4 از مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS ۶۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول ۷.۳ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) ۲.۵"
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS ۶۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول ۶۹ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS 1000,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
وزن محصول - 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۶۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

برند نامشخص VS کینگستون
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۹۰۰۰۰ IOPS

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
حافظه DRAM - true
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول ۲.۸ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۹۰۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

وزن محصول ۱۶۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه - ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه - PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۶۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۶۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول ۷.۷ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال