Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
VS
اساسدی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
مقایسه ویژگیها
ویژگیهای فنی
ویژگیهای فنی
| میزان ظرفیت حافظه | ۵۱۲ گیگابایت | ۱ ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | TLC | V-NAND TLC |
| نرخ خواندن ترتیبی | ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه | ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه | ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | ۴۶۰۰۰۰ IOPS | - |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | ۶۹۰۰۰۰ IOPS | - |
| طول عمر متوسط | ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت | ۶۰۰ |
| محدوده دمای عملیاتی | ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد | - |
ویژگیهای ظاهری
ویژگیهای ظاهری
| اندازه و ابعاد | ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) | ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) |
|---|
نوع ذخیرهسازی
نوع ذخیرهسازی
| پورت اتصال حافظه | PCI Express ۴.۰ | PCI Express ۴.۰ |
|---|---|---|
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | Yes | Yes |
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
توانمندیها
توانمندیها
| فناوری رمزنگاری | - | Yes |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | - | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | - | دارد |
قابلیتها
قابلیتها
| مجوزها و تاییدیهها | - | Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA |
|---|
سلب مسئولیت: اطلاعات این صفحه ممکن است نیاز به بازبینی داشته باشد. در صورت مشاهده هرگونه مغایرت، لطفاً گزارش دهید
مقایسه امتیاز کاربران
Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
0
/10
از مجموع 1 رای
اساسدی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
0
/10
از مجموع 1 رای
پرسش و پاسخ درباره این مقایسه
پرسش شما پس از تایید نمایش داده خواهد شد
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
