1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

کینگستون VS لنوو
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) M.۲
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

کینگستون VS لنوو
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۹ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

کینگستون VS لنوو
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۷۰ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

کینگستون VS Sandisk
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
طراحی و ابعاد دستگاه -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا

کینگستون VS Samsung
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM - بله
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
قابلیت پشتیبانی از NCQ - بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM - بله
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
فناوری رمزنگاری - رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی - سیاه
وزن محصول - تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

کینگستون VS سی‌گیت
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

برند نامشخص VS کینگستون
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۹۰۰۰۰ IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) M.۲
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۹ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

مقایسه با Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

KingSpec VS کینگستون
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 Yes
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۵۱۲ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) TLC
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

دِل VS کینگستون
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۴۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

کینگستون VS لنوو
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
VS
مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

مقایسه Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

کینگستون VS لنوو
ویژگی

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۶۰۰۰۰ IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۹۰۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲۲۳۰ (۲۲ x ۳۰ mm) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه