
نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | SATA | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 120 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung MKX | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 500 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 320 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 98,000IOPS | - |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 88,000IOPS | - |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - 1,000,000 ساعت (MTBF) - 40 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle - 2.5 میلیوات در حالت DevSlp | - 0.279 وات به صورت میانگین - 0.642 وات در حالت خواندن - 1.535 وات در حالت نوشتن - 0.195 وات در حالت آماده باش |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - مقاوم در برابر لرزش و ضربه - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, KCC, VCCI, RCM | - |
---|
اندازه و ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلیمتر | 1.35 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 45 گرم | 5.5 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|