مقایسه
سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
با
کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
مقایسه
سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
با
کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
مقایسه ویژگی ها
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیره‌سازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | Micron 96L 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung In-House Controller | SMI SM2263EN |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 2200 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 2000 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی داده‌ها | 500,000IOPS | 250,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها | 480,000IOPS | 220,000IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) |
| نوع حافظه DRAM | - | DDR4 |
| میزان توان مصرفی | - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle | - 1.7 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 80 میلی‌وات به صورت میانگین - 3.2 میلی‌وات در حالت Idle |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive |
| قابلیت‌های جانبی | - | - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال و غیرفعال |
| مجوزها و تاییدیه‌ها | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI | CE, VCCI, FCC, BSMI |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر | 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | 6.6 گرم |
شما چه امتیازی می دهید؟
