صفحه 5 از مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	IMFT 64L 3D QLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	10 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI 2263
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
میزان توان مصرفی	-	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

Intel VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	۳D NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۲۵۰
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Intel VS سی‌گیت

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

دِل VS Intel

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	512 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	AES 256-bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	IMFT 64L 3D QLC
کنترلر (Controller)	-	SMI 2263
نرخ خواندن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

Intel VS کلیو

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	۳D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۱۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

Intel VS کینگستون

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	-
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۴۸۰
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	30,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	70 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	20 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

Intel VS Samsung

ویژگی	اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D TLC
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	160 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه