صفحه 4 از مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۹ گرم

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۶۴۰
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۲.۸ گرم

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND IMFT 64L 3D QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 10 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI 2263
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND IMFT 64L 3D QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 10 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI 2263
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND IMFT 64L 3D QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 10 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI 2263
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۲۰۵ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND IMFT 64L 3D QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 10 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI 2263
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۹۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۳۵۰۴
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۶۹ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - IMFT 64L 3D QLC
کنترلر (Controller) - SMI 2263
نرخ خواندن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
وزن محصول - 10 گرم