مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 70 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 20 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D TLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم 160 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D TLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم -
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 63 گرم
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 74,240IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 10 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 100 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز (7،8،8.1،10) ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC MLC NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 70,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L 512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 57 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false