صفحه 2 از مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC V-NAND TLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم -

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC QLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۴۶ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم 10 گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - IMFT 64L 3D QLC
کنترلر (Controller) - SMI 2263
نرخ خواندن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - IMFT 64L 3D QLC
کنترلر (Controller) - SMI 2263
نرخ خواندن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 10 گرم

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135396

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135396

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM true بله
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM false بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit رمزگذاری AES 256 بیتی
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم تقریباً 8.0 گرم
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۳۸.۲ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۴۶ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC IMFT 64L 3D QLC
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 10 گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI 2263
نرخ خواندن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) SMI 2263 کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 10 گرم -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 10 گرم -

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۴۶.۲ گرم

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135399

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
کنترلر (Controller) SMI 2263 کنترلر اصلی با کیفیت بالا
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 10 گرم -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
قابلیت‌های جانبی - تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
محتویات جعبه - SSD، مستندات