صفحه 16 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	13.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	290,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	450,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	480,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM620
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	800 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	500,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS اچ پی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	800 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، طوسی	-
اندازه و ابعاد	13 * 59 * 88 میلی‌متر	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر
وزن محصول	98 گرم	450 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SAS 12Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	9 وات در حالت فعال

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS اچ پی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	800 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش	9 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	450 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه