مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 25,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم 160 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Native SAS 3.0

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)