1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ای‌دیتا VS هایک ویژن
ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 39,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 71,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 5.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

هایک ویژن VS سی‌گیت
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

هایک ویژن VS سی‌گیت
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS لکسار
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS ترنسند
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 25,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

هایک ویژن VS سیلیکون پاور
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

هایک ویژن VS سیلیکون پاور
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 39,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
مشاهده جزئیات مقایسه