صفحه 13 از مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 390,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 6.5 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 7 گرم
کنترلر (Controller) - SMI SM2263XT
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 20 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 42 گرم
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
محتویات جعبه - مایع خنک‌کننده

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 5.4 گرم -
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 9 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 3.9 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 45 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 52 گرم
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
مواد بدنه - پلاستیک
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
نشانگر وضعیت LED - true
محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 450,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 9 گرم
کنترلر (Controller) - DM620
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1024 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 513 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 92000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 60 گرم
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
مواد بدنه - پلاستیک
نشانگر وضعیت LED - true