صفحه 14 از مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	60 گرم
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
مواد بدنه	-	پلاستیک
نشانگر وضعیت LED	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	98 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	5.4 گرم	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	510,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	5.4 گرم	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	31 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	9 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	480,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS ایکس پی جی

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	290,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	11 گرم
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	9 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه