صفحه 13 از مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS بلو

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	390,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	1,600,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	-
وزن محصول	5.4 گرم	11 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS msi

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت

هایک ویژن VS KingSpec

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	41 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM	-	1 MB DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	535 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	91,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SandForce 2200

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS کلو

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	5.4 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS مایکروسافت

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS خودروسازی دی اس

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	52 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
مواد بدنه	-	پلاستیک
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه