1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

هایک ویژن VS PNY
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه با هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Crucial VS هایک ویژن
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 75000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
کنترلر (Controller) -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
محتویات جعبه -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا

هایک ویژن VS KingSpec
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
کنترلر (Controller) -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
محتویات جعبه -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS
حافظه DRAM false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
کنترلر (Controller) -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
فناوری رمزنگاری -
رنگ‌بندی -
محتویات جعبه -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 5.4 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 75000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 5.4 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 75000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

هایک ویژن VS کلیو
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 5.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 75000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75000IOPS ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه