| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 512 MB | 2 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D TLC NAND | Samsung 48-Layer MLC V-NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | 550 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 510 مگابایت بر ثانیه | 2100 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 90000IOPS | 440,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 75000IOPS | 360,000IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) |
| کنترلر (Controller) | - | Samsung Polaris |
| نوع حافظه DRAM | - | 2GB LP DDR3 |
| میزان توان مصرفی | 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش | 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلیوات * حالت آماده باش ** 8 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد | - |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 |
| اندازه و ابعاد | 1.5 * 80 * 22 میلیمتر | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 5.4 گرم | 9 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!