صفحه 12 از مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	410 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	سازگار با پلی‌استیشن 5 مک OS ایکس ویندوز 10

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS اچ پی

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	370,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM	-	1 MB Micron DDR3
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS لکسار

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS توین موس

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	-
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS ام جی

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	1,200,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	-
وزن محصول	5.4 گرم	660 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS msi

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS msi

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS کلو

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2263XT
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS کینگ مکس

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه