صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد - 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول - 31 گرم
حافظه DRAM
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) -
محدوده دمای عملیاتی - 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول - 11 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد - 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول - 52 گرم
حافظه DRAM
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاومت در برابر شوک - میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX