مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS RoHS
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - ۲.۵"
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
اندازه و ابعاد - 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
وزن محصول - ۳۸.۲ گرم

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد - M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS گلدن مموری
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen3x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) -
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS گلدن مموری
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen3x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) -
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۵۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۱۰ گرم

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS RoHS
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول - ۵۰ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen3x4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) -
وزن محصول ۱۲ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3x4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 46 گرم