مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	5‎12 مگابایت DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Phison PS5016-E16

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS لکسار

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	-	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	DDR4
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ایکس پی جی

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک از جنس مس - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.25 × 23.5 × 80.5 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 4.5 وات در حالت نوشتن - 1‎3.21 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 850 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	DDR3L
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه