صفحه 2 از مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۷.۲ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۹ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۳۲۰
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۲.۸ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۳۸.۲ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر M.۲
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۷۰ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۶.۵ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۶۴۰
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۲.۸ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۱۶۰
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۲.۶ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

ویژگی

گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۱۶۴ گرم
محتویات جعبه - Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices