مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135396

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال 135396

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM false بله
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit رمزگذاری AES 256 بیتی
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135397

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال 135397

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 NVMe PCIe Gen4 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron G8 NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه تا 7,100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه تا 6,000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - PCIe Gen4 NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی
محتویات جعبه - مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال 135399

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
کنترلر (Controller) - کنترلر اصلی با کیفیت بالا
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
قابلیت‌های جانبی - تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
محتویات جعبه - SSD، مستندات

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۷۰۰
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۶۴۰
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم ۳۴.۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۷۰۰
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -