صفحه 2 از مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۹۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۳۵۰۴
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۶۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ویژگی

کورسیر Force MP600 Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 4950 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 4250 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 680,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 1.1 وات * حالت آماده باش ** 1.65 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -