صفحه 4 از مقایسه SSD اکسترنال

در این صفحه 20 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5


ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
فناوری رمزنگاری AES 128-bit ۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI RoHS
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم ۲۸.۳۵ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500


ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۹ * ۹۲ * ۹ میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم ۲۹ گرم
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال سیگیت STMX2000400


ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سیگیت STMX2000400

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۰.۴ * ۱۲.۵ * ۷۰ میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم ۲۴ گرم
مواد بدنه - Silicone
رنگ‌بندی - طوسی

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت


ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
فناوری رمزنگاری AES 128-bit ۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI RoHS
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم ۵۸ گرم
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری


ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
فناوری رمزنگاری AES 128-bit No
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - Black, Grey
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5


ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
فناوری رمزنگاری AES 128-bit ۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI RoHS
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم ۲۸.۳۵ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - Black, Grey
محدوده دمای عملیاتی - تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - طوسی
مواد بدنه - Plastic

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - مشکی
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۳۸ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - مشکی
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه - Plastic
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe USB۴ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۱۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED -
محدوده دمای عملیاتی - ۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه - Metal
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED -
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - نقره‌ای
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال Verbatim Store 'n' Go 256 گیگابایت USB 3.2 Gen 1


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال Verbatim Store 'n' Go 256 گیگابایت USB 3.2 Gen 1

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED -
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - Blue, White
محدوده دمای عملیاتی - تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیه


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیه

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe USB ۳.۲ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۶۶ * ۶۶ * ۱۳ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۸۱ گرم
نشانگر وضعیت LED -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت با توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت


ویژگی

اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) -
نوع کاربری حافظه اکسترنال -
مواد بدنه Aluminium -
رنگ‌بندی نقره‌ای -
وزن محصول ۵۸ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۸۸ * ۱۴ * ۶۰ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۱۲۲ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - مشکی
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - Black, Orange
محدوده دمای عملیاتی - تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5


ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED -
رنگ‌بندی - مشکی
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES