صفحه 3 از مقایسه SSD اکسترنال

در این صفحه 20 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول	50 گرم	۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
رنگ‌بندی	-	مشکی
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
مواد بدنه	-	Plastic

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C

PNY VS ورباتیم

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 512 گیگابایت مشکی - USB-C
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	No
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۳۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی
مواد بدنه	-	Plastic

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730 با دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت

ای‌دیتا VS دی جی ام

ویژگی	اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	425 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	299 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	-
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۷.۸ گرم	50 گرم
اندازه و ابعاد	۳۶.۸ * ۹.۷ * ۲۳.۸ میلی‌متر	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC
حافظه DRAM	-
طول عمر متوسط	-	2.000.000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک ان*وید
نشانگر وضعیت LED	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB

دی جی ام VS ورباتیم

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن

دی جی ام VS آی‌استوریج

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	۶۷۵ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	۵۷۵ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	۸۵ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
محدوده دمای عملیاتی	-	۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
مواد بدنه	-	Aluminium, Rubber
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Trade Agreements Act (TAA)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبز

دی جی ام VS آی‌استوریج

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبز
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)
وزن محصول	50 گرم	۱۸۰ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
رنگ‌بندی	-	Green
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
مواد بدنه	-	Rubber, Silicone
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES-XTS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

دی جی ام VS ورباتیم

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

دی جی ام VS ورباتیم

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	۱۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
محدوده دمای عملیاتی	-	۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	USB۴ Gen ۲x۲
مواد بدنه	-	Metal
رنگ‌بندی	-	نقره‌ای

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38 با دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS دی جی ام

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه	425 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	299 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
طول عمر متوسط	۴۸۰	2.000.000 (MTBF) ساعت
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	سفید	-
وزن محصول	۵۶ گرم	50 گرم
اندازه و ابعاد	۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC
حافظه DRAM	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک ان*وید
نشانگر وضعیت LED	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2

دی جی ام VS کینگستون

ویژگی	دی جی ام MMS USB 3.0 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	425 مگابایت بر ثانیه	۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	299 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
طول عمر متوسط	2.000.000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک ان*وید	-
اندازه و ابعاد	9.8 * 39 * 78 میلی‌متر	۳۲.۶ * ۶۹.۵ * ۱۳.۵ میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	۴۴.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED		-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
مواد بدنه	-	Metal, Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

PNY VS سی‌گیت

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۶۵ گرم
رنگ‌بندی	-	طوسی
مواد بدنه	-	Plastic

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

PNY VS سی‌گیت

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۶۵ گرم
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	سفید

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	RoHS
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۲۸.۳۵ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۱۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	RoHS
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۸۸ * ۱۴ * ۶۰ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۱۲۲ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 2 ترابایت مشکی - با امنیت اثر انگشت

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 2 ترابایت مشکی - با امنیت اثر انگشت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	RoHS
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۵۸ گرم
مواد بدنه	-	Aluminium
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

PNY VS ورباتیم

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	No
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۳۵ گرم
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB

PNY VS ورباتیم

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۹۸ گرم
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

PNY VS ورباتیم

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	USB۴ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۱۵۰ گرم
مواد بدنه	-	Metal
رنگ‌بندی	-	نقره‌ای

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	۱۰۲ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ

PNY VS ورباتیم

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	No
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	Blue, White
مواد بدنه	-	Polycarbonate (PC)

مشاهده جزئیات مقایسه