1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS ویکومن
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 55 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

بایواستار VS سیلیکون پاور
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

بایواستار VS سامسونگ
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

بایواستار VS سامسونگ
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS ام جی
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

بایواستار VS ام جی
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 100,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS ام جی
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

بایواستار VS ام جی
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS سیلیکون پاور
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 1655 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

بایواستار VS توشیبا
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS سیلیکون پاور
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 1655 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS ام جی
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
مشاهده جزئیات مقایسه