صفحه 2 از مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۷۰۰

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۵۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۶۰۰۰ IOPS

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS بایواستار
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1450 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 25 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
قابلیت‌های جانبی - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۶۰۰
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 25 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۱۲ V
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 25 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت