| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | Micron 96-Layer 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung In-House Controller | InnoGrit IG5236 |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 7400 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 5500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 740,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 480,000IOPS | 740,000IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW) |
| نوع حافظه DRAM | - | DDR4 |
| میزان توان مصرفی | 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلیوات * حالت Idle | - |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 256-bit |
| مجوزها و تاییدیهها | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI | CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 3.3 * 22 * 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلیمتر (با هیتسینک) |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | 7 گرم (بدون هیتسینک) ** 10 گرم (با هیتسینک) |
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده