نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | RTS5766DL |
نرخ خواندن ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه | 2400 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 1800 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 370,000IOPS | 180,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 450,000IOPS | 150,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 260 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلیوات در حالت DevSlp | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 256-bit |
قابلیتهای جانبی | - | - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - سازگار با مادربوردهای اینتل و AMD - پشتیبانی از SLC Cache - پشتیبانی از نرمافزار SSD Toolbox - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | - 3.13 × 22 × 80 میلیمتر با هیت سینک - 2.15 × 22 × 80 میلیمتر بدون هیت سینک |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | - 9 گرم با هیت سینک - 6.2 گرم بدون هیت سینک |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟