صفحه 11 از مقایسه ماینر

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه بیت مین انت ماینرر S7-LN {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه بیت مین انت ماینرر S7-LNبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

ویژگی	بیت مین انت ماینرر S7-LN	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2016/06	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-35 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 265 در 306 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	2.7Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	697 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	28 نانومتری	12 نانومتر
تعداد چیپست‌ها	90	-
مدل تراشه	BM1385	TSMC
مقدار ولتاژ	11.6-13.0 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.17 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	48 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mhبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	740 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه بیت مین انت ماینرر S9i 13Th {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه بیت مین انت ماینرر S9i 13Thبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

بیت مین VS میکرو بی تی

ویژگی	بیت مین انت ماینرر S9i 13Th	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/05	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	135 در 158در 350 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	4.2 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	13Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1280 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	16 نانومتری	12 نانومتر
مدل تراشه	BM1387	TSMC
مقدار ولتاژ	11.6-13.0 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	5.81 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	76 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21S {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر T17 40Th$

مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21Sبا بیت مین انت ماینرر T17 40Th

میکرو بی تی VS بیت مین

ویژگی	میکرو بی تی واتس ماینر M21S	بیت مین انت ماینرر T17 40Th
تاریخ عرضه رسمی	2019/06	2019/05
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-45 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	10-90 درصد
اندازه و ابعاد	155 در 240 در 390 میلی‌متر	298 در 178 در 296 میلی‌متر
وزن محصول	12.5 کیلوگرم	11.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	56Th/s	40Th/s
میزان توان مصرفی	3360 W	2200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	12 نانومتر	-
تعداد چیپست‌ها	-	90
مدل تراشه	TSMC	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	15.27 آمپر	10 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	82 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه بیت مین انت ماینرر S15 28Th {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه بیت مین انت ماینرر S15 28Thبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

بیت مین VS میکرو بی تی

ویژگی	بیت مین انت ماینرر S15 28Th	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/12	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	176 در 221 در 279 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	7 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	28Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1596 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	7 نانومتر	12 نانومتر
مدل تراشه	BM1391BE	TSMC
مقدار ولتاژ	16-18 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	7.25 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	76 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 365Mh {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 365Mhبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 365Mh	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	365Mh/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	650 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	2.95 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه بیت مین انت ماینرر S17e 64Th {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه بیت مین انت ماینرر S17e 64Thبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

بیت مین VS میکرو بی تی

ویژگی	بیت مین انت ماینرر S17e 64Th	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2019/11	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-45 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	175 در 304 در 338 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	10.5 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	64Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	2880 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	7 نانومتری	12 نانومتر
تعداد چیپست‌ها	144	-
مدل تراشه	BM1397	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	13.09 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	80 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه بیت مین انت ماینرر Z11 {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه بیت مین انت ماینرر Z11با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

بیت مین VS میکرو بی تی

ویژگی	بیت مین انت ماینرر Z11	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2019/04	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-45 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	134 در 242 در 302 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	135ksol/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1418 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	12 نانومتری	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	6.44 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	70 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون S11 SiaMaster {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه اینوسیلیکون S11 SiaMasterبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون S11 SiaMaster	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/04	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	130 در 155 در 290 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	3.7 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	4.3Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1350 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	6.13 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	70 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه دایون Zig Z1 Pro {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه دایون Zig Z1 Proبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

دایون VS میکرو بی تی

ویژگی	دایون Zig Z1 Pro	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2019/07	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-45 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	-	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	-	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	13Gh/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1500 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	6.81 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21S {request()->input('language_config')['common']['with']} اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T$

مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21Sبا اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

میکرو بی تی VS اینوسیلیکون

ویژگی	میکرو بی تی واتس ماینر M21S	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
تاریخ عرضه رسمی	2019/06	2018/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-45 درجه‌ی سانتیگراد	0-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	155 در 240 در 390 میلی‌متر	150 در 180 در 400 میلی‌متر
وزن محصول	12.5 کیلوگرم	7.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	56Th/s	32Th/s
میزان توان مصرفی	3360 W	2200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	12 نانومتر	10 نانومتری
مدل تراشه	TSMC	FinFET
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	15.27 آمپر	10 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	72 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون A9++ ZMaster {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M21S$

مقایسه اینوسیلیکون A9++ ZMasterبا میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون A9++ ZMaster	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2019/05	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-45 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	155 در 250 در 360 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	11 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	140ksol/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1550 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	7.04 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه