مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بلو VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بلو VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

بلو VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	31 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بلو VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

بلو VS خودروسازی دی اس

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	5.5 گرم	52 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بلو VS ایکس پی جی

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

بلو VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	5.5 گرم	60 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

بلو VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	5.5 گرم	98 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	-
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe Gen4 x4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	5.5 گرم
میزان توان مصرفی	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	300 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانیتگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	4000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe Gen4 x4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	5.5 گرم
میزان توان مصرفی	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	300 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانیتگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	4000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	5.5 گرم
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	300 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانیتگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	4000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بلو VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	300 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانیتگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه