مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS لکسار

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	-
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS ایکس پی جی

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	DDR3L
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	-
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	WD NVMe Architecture	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه