مقایسه اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه حافظه فلش NAND اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 No
شیوه اتصال NVMe -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7150 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) آخرین حافظه NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) کنترلر با روکش نیکل -
سیستم‌عامل‌های سازگار کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ -
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
فناوری رمزنگاری No
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی کارآمد -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۰۲۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه با اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 No
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND ۳D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان ظرفیت حافظه - ۱ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۰۲۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه با اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 No
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) ۳D NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۰۲۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه با اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe No
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله -
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۱۰۲۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 -
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی No
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم ۹ گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit No
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit No
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ورباتیم مدل Vi560 S3 M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۴۹۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۱۰۲۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
وزن محصول - ۹ گرم
فناوری رمزنگاری - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS