صفحه 11 از مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
اندازه و ابعاد - 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول - 40.6 گرم
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND NAND Flash
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
اندازه و ابعاد - 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SMI
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
اندازه و ابعاد - 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9.7 گرم

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 1,200,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 660 گرم

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SMI
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI DM620
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
نشانگر وضعیت LED false false
اندازه و ابعاد - 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
اندازه و ابعاد - 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false false
اندازه و ابعاد - 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول - 3.9 گرم

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 1,600,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 11.5 W
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption
وزن محصول - 11 گرم

مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false false
اندازه و ابعاد - 14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول - 42 گرم
محتویات جعبه - مایع خنک‌کننده