صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS سامسونگ

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	- نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	-	13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	-	98 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	SMI	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS خودروسازی دی اس

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	-	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	52 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	SMI	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS لکسار

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	SMI	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS سامسونگ

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس VS سامسونگ

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس VS سامسونگ

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	-	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1000 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2455 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1832 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه